Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Феклистов, К. В. - Преципитация бора в Si при высокодозной имплантации
Феклистов, К. В. - Преципитация бора в Si при высокодозной имплантации
Статья
Автор: Феклистов, К. В.
Физика и техника полупроводников: Преципитация бора в Si при высокодозной имплантации
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Феклистов, К. В.
Физика и техника полупроводников: Преципитация бора в Si при высокодозной имплантации
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Феклистов, К. В.
Преципитация бора в Si при высокодозной имплантации / К. В. Феклистов, Л. И. Федина, А. Г. Черков // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 3 . – С. 302-305 .
Феклистов, К. В.
Преципитация бора в Si при высокодозной имплантации / К. В. Феклистов, Л. И. Федина, А. Г. Черков // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 3 . – С. 302-305 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 44, N 3
2010 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 44, N 3
2010 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный