Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кузнецов, В. П. - Диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 К
Кузнецов, В. П. - Диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 К
Статья
Автор: Кузнецов, В. П.
Физика и техника полупроводников: Диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 К
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кузнецов, В. П.
Физика и техника полупроводников: Диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 К
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кузнецов, В. П.
Диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 К / В. П. Кузнецов, М. В. Кузнецов, З. Ф. Красильник // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 3 . – С. 402-408 .
Кузнецов, В. П.
Диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 К / В. П. Кузнецов, М. В. Кузнецов, З. Ф. Красильник // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 3 . – С. 402-408 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 44, N 3
2010 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 44, N 3
2010 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный