Электронный каталог -Бланк, Т. В. - Механизм протекания тока в омическом контакте к n-4H-SiC- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Бланк, Т. В. - Механизм протекания тока в омическом контакте к n-4H-SiC

Бланк, Т. В. - Механизм протекания тока в омическом контакте к n-4H-SiC

Статья
Автор: Бланк, Т. В.
Физика и техника полупроводников: Механизм протекания тока в омическом контакте к n-4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья

Бланк, Т. В.
Механизм протекания тока в омическом контакте к n-4H-SiC / Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг, Е. А. Поссе, Ф. Ю. Солдатенков // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 4 . – С. 482-485 .