Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Дроздов, Ю. Н. - Исследование перехода эпитаксиальной пленки Ge от послойного к трехмерному росту в гетероструктур...
Дроздов, Ю. Н. - Исследование перехода эпитаксиальной пленки Ge от послойного к трехмерному росту в гетероструктур...
Статья
Автор: Дроздов, Ю. Н.
Физика и техника полупроводников: Исследование перехода эпитаксиальной пленки Ge от послойного к трехмерному росту в гетероструктур...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Дроздов, Ю. Н.
Физика и техника полупроводников: Исследование перехода эпитаксиальной пленки Ge от послойного к трехмерному росту в гетероструктур...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Дроздов, Ю. Н.
Исследование перехода эпитаксиальной пленки Ge от послойного к трехмерному росту в гетероструктурах с напряженными подслоями SiGe / Ю. Н. Дроздов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 4 . – С. 538-543 .
Дроздов, Ю. Н.
Исследование перехода эпитаксиальной пленки Ge от послойного к трехмерному росту в гетероструктурах с напряженными подслоями SiGe / Ю. Н. Дроздов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 4 . – С. 538-543 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 44, N 4
2010 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 44, N 4
2010 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный