Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Качурин, Г. А. - Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO2 при облучении быстрыми тяжелыми ионами
Качурин, Г. А. - Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO2 при облучении быстрыми тяжелыми ионами
Статья
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO2 при облучении быстрыми тяжелыми ионами
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO2 при облучении быстрыми тяжелыми ионами
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Качурин, Г. А.
Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO2 при облучении быстрыми тяжелыми ионами / Г. А. Качурин, С. Г. Черкова, В. А. Скуратов, Д. В. Марин, А. Г. Черков // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 4 . – С. 544-549 .
Качурин, Г. А.
Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO2 при облучении быстрыми тяжелыми ионами / Г. А. Качурин, С. Г. Черкова, В. А. Скуратов, Д. В. Марин, А. Г. Черков // Физика и техника полупроводников . – 2010 . – Т. 44, N 4 . – С. 544-549 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 44, N 4
2010 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 44, N 4
2010 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный