Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кузнецов, В. П. - Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si:Er/Si, выраще...
Кузнецов, В. П. - Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si:Er/Si, выраще...
Статья
Автор: Кузнецов, В. П.
Физика и техника полупроводников: Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si:Er/Si, выраще...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кузнецов, В. П.
Физика и техника полупроводников: Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si:Er/Si, выраще...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кузнецов, В. П.
Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si:Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии / В. П. Кузнецов, В. Б. Шмагин, М. Н. Дроздов, М. О. Марычев, К. Е. Кудрявцев, М. В. Кузнецов, Б. А. Андреев, А. В. Корнаухов, З. Ф. Красильник // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 1 . – С. 132-135 .
Кузнецов, В. П.
Зависимость концентрации ионизованных доноров от температуры эпитаксии для слоев Si:Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии / В. П. Кузнецов, В. Б. Шмагин, М. Н. Дроздов, М. О. Марычев, К. Е. Кудрявцев, М. В. Кузнецов, Б. А. Андреев, А. В. Корнаухов, З. Ф. Красильник // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 1 . – С. 132-135 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 45, N 1
2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 45, N 1
2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный