Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Абрамкин, Д. С. - Захват носителей заряда в InAs/AlAs-квантовые точки при гелиевой температуре
Абрамкин, Д. С. - Захват носителей заряда в InAs/AlAs-квантовые точки при гелиевой температуре
Статья
Автор: Абрамкин, Д. С.
Физика и техника полупроводников: Захват носителей заряда в InAs/AlAs-квантовые точки при гелиевой температуре
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Абрамкин, Д. С.
Физика и техника полупроводников: Захват носителей заряда в InAs/AlAs-квантовые точки при гелиевой температуре
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Абрамкин, Д. С.
Захват носителей заряда в InAs/AlAs-квантовые точки при гелиевой температуре / Д. С. Абрамкин, К. С. Журавлев, Т. С. Шамирзаев, А. В. Ненашев, А. К. Калагин // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 2 . – С. 183-191 .
Абрамкин, Д. С.
Захват носителей заряда в InAs/AlAs-квантовые точки при гелиевой температуре / Д. С. Абрамкин, К. С. Журавлев, Т. С. Шамирзаев, А. В. Ненашев, А. К. Калагин // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 2 . – С. 183-191 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 45, N 2
2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 45, N 2
2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный