Электронный каталог -Шалеев, М. В. - Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных между напряженн...- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Шалеев, М. В. - Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных между напряженн...

Шалеев, М. В. - Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных между напряженн...

Статья
Автор: Шалеев, М. В.
Физика и техника полупроводников: Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных между напряженн...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья

Шалеев, М. В.
Ширина линии фотолюминесценции от самоформирующихся островков Ge(Si), заключенных между напряженными Si-слоями / М. В. Шалеев, А. В. Новиков, Н. А. Байдакова, А. Н. Яблонский, О. А. Кузнецов, Д. Н. Лобанов, З. Ф. Красильник // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 2 . – С. 202-206 .