Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Иванов, П. А. - Высоковольтные (3.3 кВ) JBS-диоды на основе 4H-SiC
Иванов, П. А. - Высоковольтные (3.3 кВ) JBS-диоды на основе 4H-SiC
Статья
Автор: Иванов, П. А.
Физика и техника полупроводников: Высоковольтные (3.3 кВ) JBS-диоды на основе 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Иванов, П. А.
Физика и техника полупроводников: Высоковольтные (3.3 кВ) JBS-диоды на основе 4H-SiC
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Иванов, П. А.
Высоковольтные (3.3 кВ) JBS-диоды на основе 4H-SiC / П. А. Иванов, И. В. Грехов, Н. Д. Ильинская, О. И. Коньков, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, О. Ю. Серебренникова // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 5 . – С. 677-681 .
Иванов, П. А.
Высоковольтные (3.3 кВ) JBS-диоды на основе 4H-SiC / П. А. Иванов, И. В. Грехов, Н. Д. Ильинская, О. И. Коньков, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, О. Ю. Серебренникова // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 5 . – С. 677-681 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 45, N 5
2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 45, N 5
2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный