Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Якушев, М. В. - Дефекты кристаллической структуры в слоях CdxHg1-xTe, выращенных на подложках из Si(310)
Якушев, М. В. - Дефекты кристаллической структуры в слоях CdxHg1-xTe, выращенных на подложках из Si(310)
Статья
Автор: Якушев, М. В.
Физика и техника полупроводников: Дефекты кристаллической структуры в слоях CdxHg1-xTe, выращенных на подложках из Si(310)
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Якушев, М. В.
Физика и техника полупроводников: Дефекты кристаллической структуры в слоях CdxHg1-xTe, выращенных на подложках из Si(310)
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Якушев, М. В.
Дефекты кристаллической структуры в слоях CdxHg1-xTe, выращенных на подложках из Si(310) / М. В. Якушев, А. К. Гутаковский, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 7 . – С. 956-964 .
Якушев, М. В.
Дефекты кристаллической структуры в слоях CdxHg1-xTe, выращенных на подложках из Si(310) / М. В. Якушев, А. К. Гутаковский, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 7 . – С. 956-964 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 45, N 7
2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 45, N 7
2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный