Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Крыжановская, Н. В. - Влияние параметров AlGaAs-(AlGa)xOy пьедестала на характеристики микродискового лазера с активной...
Крыжановская, Н. В. - Влияние параметров AlGaAs-(AlGa)xOy пьедестала на характеристики микродискового лазера с активной...
Статья
Автор: Крыжановская, Н. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние параметров AlGaAs-(AlGa)xOy пьедестала на характеристики микродискового лазера с активной...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Крыжановская, Н. В.
Физика и техника полупроводников: Влияние параметров AlGaAs-(AlGa)xOy пьедестала на характеристики микродискового лазера с активной...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Крыжановская, Н. В.
Влияние параметров AlGaAs-(AlGa)xOy пьедестала на характеристики микродискового лазера с активной областью на основе InAs/InGaAs-квантовых точек / Н. В. Крыжановская, С. А. Блохин, М. В. Максимов, А. М. Надточий, А. Е. Жуков, К. В. Федорова, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, Н. Д. Ильинская, Д. Бимберг // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 7 . – С. 992-995 .
Крыжановская, Н. В.
Влияние параметров AlGaAs-(AlGa)xOy пьедестала на характеристики микродискового лазера с активной областью на основе InAs/InGaAs-квантовых точек / Н. В. Крыжановская, С. А. Блохин, М. В. Максимов, А. М. Надточий, А. Е. Жуков, К. В. Федорова, Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, Н. Д. Ильинская, Д. Бимберг // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 7 . – С. 992-995 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 45, N 7
2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 45, N 7
2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный