Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 9 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 9 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Таллерчик, Б. А.
Синтез халькогенидов свинца, мышьяка т висмута с жидкостным капсулированием
б.г.
ISBN отсутствует
Таллерчик, Б. А.
Синтез халькогенидов свинца, мышьяка т висмута с жидкостным капсулированием
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Tsai, J.-H.
Comparative investigation of InGaP/GaAs pseudomorphic fieid-effect transistors with triple doped-...
б.г.
ISBN отсутствует
Tsai, J.-H.
Comparative investigation of InGaP/GaAs pseudomorphic fieid-effect transistors with triple doped-...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Lenka, T. R.
Role of nanoscale AIN and InN for the microwave characteristics of AlGaN/(Al,In)N/GaN-based HEMT
б.г.
ISBN отсутствует
Lenka, T. R.
Role of nanoscale AIN and InN for the microwave characteristics of AlGaN/(Al,In)N/GaN-based HEMT
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Jinrong pu
An accurate polynomial-based analytical charge control model for AlGaN/GaN HEMT
б.г.
ISBN отсутствует
Jinrong pu
An accurate polynomial-based analytical charge control model for AlGaN/GaN HEMT
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кульбачинский, В. А.
Термоэлектрические свойства нанокомпозитов теллурида висмута с фуллеренами
б.г.
ISBN отсутствует
Кульбачинский, В. А.
Термоэлектрические свойства нанокомпозитов теллурида висмута с фуллеренами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бачериков, Ю. Ю.
Распределение наночастиц CdSe, синтезированных в пористой матрице SiOx
б.г.
ISBN отсутствует
Бачериков, Ю. Ю.
Распределение наночастиц CdSe, синтезированных в пористой матрице SiOx
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Целиков, Г. И.
Особенности фотолюминесцентных свойств квантовых точек селенида кадмия с примесью меди
б.г.
ISBN отсутствует
Целиков, Г. И.
Особенности фотолюминесцентных свойств квантовых точек селенида кадмия с примесью меди
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Егоров, А. Ю.
Оптические свойства квантово-размерных гетероструктур на основе твердых растворов GaPxNyAs1-x-y
б.г.
ISBN отсутствует
Егоров, А. Ю.
Оптические свойства квантово-размерных гетероструктур на основе твердых растворов GaPxNyAs1-x-y
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ильинский, А. В.
Металлизация гидрированием моноклинной фазы в пленках VO2
б.г.
ISBN отсутствует
Ильинский, А. В.
Металлизация гидрированием моноклинной фазы в пленках VO2
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Лебедев, А. А.
Компенсация проводимости p-6H-SiC при облучении протонами с энергией 8 МэВ
б.г.
ISBN отсутствует
Лебедев, А. А.
Компенсация проводимости p-6H-SiC при облучении протонами с энергией 8 МэВ
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Соболев, Н. А.
Фотолюминисценция в кремнии, имплантированном ионами кремния с аморфизующими дозами
б.г.
ISBN отсутствует
Соболев, Н. А.
Фотолюминисценция в кремнии, имплантированном ионами кремния с аморфизующими дозами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Корбутяк, Д. В.
Влияние СВЧ-облучения на фотолюминесценцию связанных экситонов в монокристаллах CdTe:Cl
б.г.
ISBN отсутствует
Корбутяк, Д. В.
Влияние СВЧ-облучения на фотолюминесценцию связанных экситонов в монокристаллах CdTe:Cl
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Ижнин, И. И.
Исследование структуры дефектов в пленках CdxHg1-xTe, выращенных жидкофазной эпитаксией, с помощь...
б.г.
ISBN отсутствует
Ижнин, И. И.
Исследование структуры дефектов в пленках CdxHg1-xTe, выращенных жидкофазной эпитаксией, с помощь...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Шалдин, Ю. В.
Пироэлектрические свойства широкозонного полупроводника AIN в области 4.2-300 К
б.г.
ISBN отсутствует
Шалдин, Ю. В.
Пироэлектрические свойства широкозонного полупроводника AIN в области 4.2-300 К
б.г.
ISBN отсутствует