Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Винокуров, Д. А. - Лазеры с сильно напряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на д...
Винокуров, Д. А. - Лазеры с сильно напряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на д...
Статья
Автор: Винокуров, Д. А.
Физика и техника полупроводников: Лазеры с сильно напряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на д...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Винокуров, Д. А.
Физика и техника полупроводников: Лазеры с сильно напряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на д...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Винокуров, Д. А.
Лазеры с сильно напряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs / Д. А. Винокуров, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, А. Д. Бондарев, Н. А. Рудова, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 9 . – С. 1274-1278 .
Винокуров, Д. А.
Лазеры с сильно напряженной квантовой ямой GaInAs с компенсирующими слоями GaAsP, излучающие на длине волны 1190 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложке GaAs / Д. А. Винокуров, Д. Н. Николаев, Н. А. Пихтин, А. Л. Станкевич, В. В. Шамахов, А. Д. Бондарев, Н. А. Рудова, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 9 . – С. 1274-1278 .