Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Барабаненков, М. Ю. - Влияние фотовозбуждения n-Si in situ при имплантации малых доз ионов на образование радиационных ...
Барабаненков, М. Ю. - Влияние фотовозбуждения n-Si in situ при имплантации малых доз ионов на образование радиационных ...
Статья
Автор: Барабаненков, М. Ю.
Физика и техника полупроводников: Влияние фотовозбуждения n-Si in situ при имплантации малых доз ионов на образование радиационных ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Барабаненков, М. Ю.
Физика и техника полупроводников: Влияние фотовозбуждения n-Si in situ при имплантации малых доз ионов на образование радиационных ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Барабаненков, М. Ю.
Влияние фотовозбуждения n-Si in situ при имплантации малых доз ионов на образование радиационных эффектов / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / М. Ю. Барабаненков, А. В. Леонов, В. Н. Мордкович, Н. М. Омельяновская // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 5 . – 537-541 .
Барабаненков, М. Ю.
Влияние фотовозбуждения n-Si in situ при имплантации малых доз ионов на образование радиационных эффектов / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / М. Ю. Барабаненков, А. В. Леонов, В. Н. Мордкович, Н. М. Омельяновская // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 5 . – 537-541 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 5
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 5
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный