Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лошинский, А. М. - Закономерности образования рекомбинационно-активных центров в фосфиде индия, антимониде галлия и ...
Лошинский, А. М. - Закономерности образования рекомбинационно-активных центров в фосфиде индия, антимониде галлия и ...
Доступно
1 из 1
1 из 1
Диссертация
Автор: Лошинский, А. М.
Закономерности образования рекомбинационно-активных центров в фосфиде индия, антимониде галлия и ... : дис... к.физ.-мат.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников и диэлектриков"
Издательство: [Б.и.], 1985 г.
ISBN отсутствует
Автор: Лошинский, А. М.
Закономерности образования рекомбинационно-активных центров в фосфиде индия, антимониде галлия и ... : дис... к.физ.-мат.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников и диэлектриков"
Издательство: [Б.и.], 1985 г.
ISBN отсутствует
Заказать 
На полку
Диссертация
Л-816д
Лошинский, А. М.
Закономерности образования рекомбинационно-активных центров в фосфиде индия, антимониде галлия и твердых растворах на их основе : дис... к.физ.-мат.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников и диэлектриков" / А. М. Лошинский ; науч. рук. М. Г. Мильвидский . – М. : [Б.и.], 1985 . – 206 с. + Библиогр.: с. 191-205. - (Гос.науч.-исслед. и проектн. ин-т редкометаллической промышленности ГИРЕДМЕТ).
621.315.592
Общий = Материаловедение : полупроводники
578066 20:Фонд дис.др.орг.
Л-816д
Лошинский, А. М.
Закономерности образования рекомбинационно-активных центров в фосфиде индия, антимониде галлия и твердых растворах на их основе : дис... к.физ.-мат.н., спец. 01.04.10 - "Физика полупроводников и диэлектриков" / А. М. Лошинский ; науч. рук. М. Г. Мильвидский . – М. : [Б.и.], 1985 . – 206 с. + Библиогр.: с. 191-205. - (Гос.науч.-исслед. и проектн. ин-т редкометаллической промышленности ГИРЕДМЕТ).
621.315.592
Общий = Материаловедение : полупроводники
578066 20:Фонд дис.др.орг.