Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Иванов, П. А. - Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ
Иванов, П. А. - Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ
Статья
Автор: Иванов, П. А.
Физика и техника полупроводников: Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Иванов, П. А.
Физика и техника полупроводников: Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, П. А.
Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ / П. А. Иванов, И. В. Грехов, О. И. Коньков, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, Т. В. Семенов // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 10 . – С. 1427-1430 .
Иванов, П. А.
Вольт-амперные характеристики высоковольтных 4H-SiC-диодов с барьером Шоттки высотой 1.1 эВ / П. А. Иванов, И. В. Грехов, О. И. Коньков, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, Т. В. Семенов // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 10 . – С. 1427-1430 .