Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Поляков, В. И. - 3. Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
Поляков, В. И. - 3. Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
Книга (аналит. описание)
Автор: Поляков, В. И.
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике: 3. Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Поляков, В. И.
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике: 3. Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Поляков, В. И.
3. Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами / В. И. Поляков, П. И. Перов, М. Г. Ермаков, О. Н. Ермакова, В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев // Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике : сб. ст. / Д. Ю. Адамов, Ю. Ф. Адамов, Д. В. Амелин, др.; Ин-т СВЧ плупроводниковой электроники РАН . – М. : Техносфера, 2010 . – С. 45-55 .
Поляков, В. И.
3. Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами / В. И. Поляков, П. И. Перов, М. Г. Ермаков, О. Н. Ермакова, В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев // Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике : сб. ст. / Д. Ю. Адамов, Ю. Ф. Адамов, Д. В. Амелин, др.; Ин-т СВЧ плупроводниковой электроники РАН . – М. : Техносфера, 2010 . – С. 45-55 .