Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Галиев, Г. Б. - 12. Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs на подложках с ориентацией (111)А, (111)В
Галиев, Г. Б. - 12. Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs на подложках с ориентацией (111)А, (111)В
Книга (аналит. описание)
Автор: Галиев, Г. Б.
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике: 12. Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs на подложках с ориентацией (111)А, (111)В
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Галиев, Г. Б.
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике: 12. Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs на подложках с ориентацией (111)А, (111)В
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
Галиев, Г. Б.
12. Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs на подложках с ориентацией (111)А, (111)В / Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров, В. Ю. Волков, Р. М. Имамов, Ю. В. Слепнев, Ю. В. Хабаров // Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике : сб. ст. / Д. Ю. Адамов, Ю. Ф. Адамов, Д. В. Амелин, др.; Ин-т СВЧ плупроводниковой электроники РАН . – М. : Техносфера, 2010 . – С. 153-167 .
Галиев, Г. Б.
12. Особенности молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs на подложках с ориентацией (111)А, (111)В / Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров, В. Ю. Волков, Р. М. Имамов, Ю. В. Слепнев, Ю. В. Хабаров // Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике : сб. ст. / Д. Ю. Адамов, Ю. Ф. Адамов, Д. В. Амелин, др.; Ин-т СВЧ плупроводниковой электроники РАН . – М. : Техносфера, 2010 . – С. 153-167 .
Привязано к:
Доступно
3 из 3
Книга
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике: сб. ст.
Техносфера, 2010 г.
ISBN 978-5-94836-255-7
Библиотека МИСиС : Научный
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике: сб. ст.
Техносфера, 2010 г.
ISBN 978-5-94836-255-7
Библиотека МИСиС : Научный