Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Марченко, И. Г. - Технологические особенности электронного облучения Si p+-n-n+-диодов при повышенных температурах
Марченко, И. Г. - Технологические особенности электронного облучения Si p+-n-n+-диодов при повышенных температурах
Статья
Автор: Марченко, И. Г.
Физика и техника полупроводников: Технологические особенности электронного облучения Si p+-n-n+-диодов при повышенных температурах
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Марченко, И. Г.
Физика и техника полупроводников: Технологические особенности электронного облучения Si p+-n-n+-диодов при повышенных температурах
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Марченко, И. Г.
Технологические особенности электронного облучения Si p+-n-n+-диодов при повышенных температурах / И. Г. Марченко, Н. Е. Жданович // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 11 . – С. 1549-1552 .
Марченко, И. Г.
Технологические особенности электронного облучения Si p+-n-n+-диодов при повышенных температурах / И. Г. Марченко, Н. Е. Жданович // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 11 . – С. 1549-1552 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 45, N 11
2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 45, N 11
2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный