Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Яременко, Н. Г. - 28. Нестехиометрические дефекты в Si-легированных эпитаксиальных слоях GaAs, выращенных на подлож...
Яременко, Н. Г. - 28. Нестехиометрические дефекты в Si-легированных эпитаксиальных слоях GaAs, выращенных на подлож...
Книга (аналит. описание)
Автор: Яременко, Н. Г.
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике: 28. Нестехиометрические дефекты в Si-легированных эпитаксиальных слоях GaAs, выращенных на подлож...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Яременко, Н. Г.
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике: 28. Нестехиометрические дефекты в Si-легированных эпитаксиальных слоях GaAs, выращенных на подлож...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
Яременко, Н. Г.
28. Нестехиометрические дефекты в Si-легированных эпитаксиальных слоях GaAs, выращенных на подложках с ориентациями (111)A и (111)B / Н. Г. Яременко, Г. Б. Галиев, М. В. Карачевцева, В. Г. Мокеров, В. А. Страхов // Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике : сб. ст. / Д. Ю. Адамов, Ю. Ф. Адамов, Д. В. Амелин, др.; Ин-т СВЧ плупроводниковой электроники РАН . – М. : Техносфера, 2010 . – С. 393-403 .
Яременко, Н. Г.
28. Нестехиометрические дефекты в Si-легированных эпитаксиальных слоях GaAs, выращенных на подложках с ориентациями (111)A и (111)B / Н. Г. Яременко, Г. Б. Галиев, М. В. Карачевцева, В. Г. Мокеров, В. А. Страхов // Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике : сб. ст. / Д. Ю. Адамов, Ю. Ф. Адамов, Д. В. Амелин, др.; Ин-т СВЧ плупроводниковой электроники РАН . – М. : Техносфера, 2010 . – С. 393-403 .
Привязано к:
Доступно
3 из 3
Книга
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике: сб. ст.
Техносфера, 2010 г.
ISBN 978-5-94836-255-7
Библиотека МИСиС : Научный
Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике: сб. ст.
Техносфера, 2010 г.
ISBN 978-5-94836-255-7
Библиотека МИСиС : Научный