Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сукач, Г. А. - Перемещение границы p-n-перехода в GaAs : Si при гиритронном облучении
Сукач, Г. А. - Перемещение границы p-n-перехода в GaAs : Si при гиритронном облучении
Статья
Автор: Сукач, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Перемещение границы p-n-перехода в GaAs : Si при гиритронном облучении
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сукач, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Перемещение границы p-n-перехода в GaAs : Si при гиритронном облучении
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Сукач, Г. А.
Перемещение границы p-n-перехода в GaAs : Si при гиритронном облучении / Г. А. Сукач, В. В. Кидалов // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 12 . – С. 1633-1636 .
Сукач, Г. А.
Перемещение границы p-n-перехода в GaAs : Si при гиритронном облучении / Г. А. Сукач, В. В. Кидалов // Физика и техника полупроводников . – 2011 . – Т. 45, N 12 . – С. 1633-1636 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 45, N 12
2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 45, N 12
2011 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный