Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: 3. Формирование подзатворных диэлектриков субмикротонных МОПТ
3. Формирование подзатворных диэлектриков субмикротонных МОПТ
Книга (аналит. описание)
Автор:
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов: 3. Формирование подзатворных диэлектриков субмикротонных МОПТ
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов: 3. Формирование подзатворных диэлектриков субмикротонных МОПТ
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
3. Формирование подзатворных диэлектриков субмикротонных МОПТ // Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов / Г. Я. Красников . – 2-е изд., испр . – М. : Техносфера, 2011 . – С. 123-218 . – (Мир электроники) .
3. Формирование подзатворных диэлектриков субмикротонных МОПТ // Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов / Г. Я. Красников . – 2-е изд., испр . – М. : Техносфера, 2011 . – С. 123-218 . – (Мир электроники) .
Привязано к:
Доступно
6 из 6
Книга
Красников, Г. Я.
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
ISBN 978-5-94836-289-2
Библиотека МИСиС : Научный
Красников, Г. Я.
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
Серия: Мир электроники
Техносфера, 2011 г.ISBN 978-5-94836-289-2
Библиотека МИСиС : Научный