Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Gassoumi, M. - Evidence of surface states for AlGaN/GaN/SiC HEMTs passivated Si3N4 by CDLTS
Gassoumi, M. - Evidence of surface states for AlGaN/GaN/SiC HEMTs passivated Si3N4 by CDLTS
Статья
Автор: Gassoumi, M.
Физика и техника полупроводников: Evidence of surface states for AlGaN/GaN/SiC HEMTs passivated Si3N4 by CDLTS
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Gassoumi, M.
Физика и техника полупроводников: Evidence of surface states for AlGaN/GaN/SiC HEMTs passivated Si3N4 by CDLTS
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Gassoumi, M.
Evidence of surface states for AlGaN/GaN/SiC HEMTs passivated Si3N4 by CDLTS / M. Gassoumi, B. Grimbert, C. Gaquiere, H. Maaref // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 3 . – C. 396-399 .
Gassoumi, M.
Evidence of surface states for AlGaN/GaN/SiC HEMTs passivated Si3N4 by CDLTS / M. Gassoumi, B. Grimbert, C. Gaquiere, H. Maaref // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 3 . – C. 396-399 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 3
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 3
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный