Электронный каталог -Иванов, П. А. - Токи утечки в 4-H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки-(p-n-структурой) - Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Иванов, П. А. - Токи утечки в 4-H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки-(p-n-структурой)

Иванов, П. А. - Токи утечки в 4-H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки-(p-n-структурой)

Статья
Автор: Иванов, П. А.
Физика и техника полупроводников: Токи утечки в 4-H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки-(p-n-структурой)
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья

Иванов, П. А.
Токи утечки в 4-H-SiC-диодах Шоттки с интегрированной шоттки-(p-n-структурой) / П. А. Иванов, И. В. Грехов, А. С. Потапов, О. И. Коньков, Н. Д. Ильинская, Т. П. Самсонова, O. Korolkov, N. Sleptsuk // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 3 . – С. 411-415 .