Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Фоминский, В. Ю. - Свойства тонких пленок оксида вольфрама, формируемых методами ионно-плазменного и лазерного осажд...
Фоминский, В. Ю. - Свойства тонких пленок оксида вольфрама, формируемых методами ионно-плазменного и лазерного осажд...
Статья
Автор: Фоминский, В. Ю.
Физика и техника полупроводников: Свойства тонких пленок оксида вольфрама, формируемых методами ионно-плазменного и лазерного осажд...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Фоминский, В. Ю.
Физика и техника полупроводников: Свойства тонких пленок оксида вольфрама, формируемых методами ионно-плазменного и лазерного осажд...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Фоминский, В. Ю.
Свойства тонких пленок оксида вольфрама, формируемых методами ионно-плазменного и лазерного осаждения для детектора водорода на основе структуры MOSiC / В. Ю. Фоминский, С. Н. Григорьев, Р. И. Романов, В. В. Зуев, В. В. Григорьев // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 3 . – С. 416-424 .
Фоминский, В. Ю.
Свойства тонких пленок оксида вольфрама, формируемых методами ионно-плазменного и лазерного осаждения для детектора водорода на основе структуры MOSiC / В. Ю. Фоминский, С. Н. Григорьев, Р. И. Романов, В. В. Зуев, В. В. Григорьев // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 3 . – С. 416-424 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 3
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 3
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный