Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кравчук, К. С. - Определение типов дислокаций и их плотности в эпитаксиальных слоях GaN различной толщины с помощь...
Кравчук, К. С. - Определение типов дислокаций и их плотности в эпитаксиальных слоях GaN различной толщины с помощь...
Статья
Автор: Кравчук, К. С.
Кристаллография: Определение типов дислокаций и их плотности в эпитаксиальных слоях GaN различной толщины с помощь...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кравчук, К. С.
Кристаллография: Определение типов дислокаций и их плотности в эпитаксиальных слоях GaN различной толщины с помощь...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кравчук, К. С.
Определение типов дислокаций и их плотности в эпитаксиальных слоях GaN различной толщины с помощью методов оптической и атомно-силовой микроскопии / К. С. Кравчук, М. В. Меженный, Т. Г. Югова // Кристаллография . – 2012 . – Т. 57, N 2 . – С. 325-331 .
Кравчук, К. С.
Определение типов дислокаций и их плотности в эпитаксиальных слоях GaN различной толщины с помощью методов оптической и атомно-силовой микроскопии / К. С. Кравчук, М. В. Меженный, Т. Г. Югова // Кристаллография . – 2012 . – Т. 57, N 2 . – С. 325-331 .