Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Авачев, А. П. - Фазовые переходы в тонких пленках халькогенидов Ge2Sb2Te5 по данным комбинационного рассеяния света
Авачев, А. П. - Фазовые переходы в тонких пленках халькогенидов Ge2Sb2Te5 по данным комбинационного рассеяния света
Статья
Автор: Авачев, А. П.
Физика и техника полупроводников: Фазовые переходы в тонких пленках халькогенидов Ge2Sb2Te5 по данным комбинационного рассеяния света
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Авачев, А. П.
Физика и техника полупроводников: Фазовые переходы в тонких пленках халькогенидов Ge2Sb2Te5 по данным комбинационного рассеяния света
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Авачев, А. П.
Фазовые переходы в тонких пленках халькогенидов Ge2Sb2Te5 по данным комбинационного рассеяния света / А. П. Авачев, С. П. Вихров, Н. В. Вишняков, С. А. Козюхин, К. В. Митрофанов, Е. И. Теруков // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 5 . – С. 609-612 .
Авачев, А. П.
Фазовые переходы в тонких пленках халькогенидов Ge2Sb2Te5 по данным комбинационного рассеяния света / А. П. Авачев, С. П. Вихров, Н. В. Вишняков, С. А. Козюхин, К. В. Митрофанов, Е. И. Теруков // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 5 . – С. 609-612 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 5
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 5
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный