Электронный каталог -Ильинская, Н. Д. - Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница λ0.1 = 4.5 мкм), работ...- Absopac

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Ильинская, Н. Д. - Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница λ0.1 = 4.5 мкм), работ...

Ильинская, Н. Д. - Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница λ0.1 = 4.5 мкм), работ...

Статья
Автор: Ильинская, Н. Д.
Физика и техника полупроводников: Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница λ0.1 = 4.5 мкм), работ...
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья

Ильинская, Н. Д.
Поверхностно облучаемые фотодиоды на основе InAsSb (длинноволновая граница λ0.1 = 4.5 мкм), работающие при температурах 25-80˚C / Н. Д. Ильинская, А. Л. Закгейм, С. А. Карандашев, Б. А. Матвеев, В. И. Ратушный, М. А. Ременный, А. Ю. Рыбальченко, Н. М. Стусь, А. Е. Черняков // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 5 . – С. 708-713 .