Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Иванов, П. А. - Исследование глубоких ловушек на интерфейсе SiO2/6H-SiC методом неравновесного эффекта поля / Физ...
Иванов, П. А. - Исследование глубоких ловушек на интерфейсе SiO2/6H-SiC методом неравновесного эффекта поля / Физ...
Статья
Автор: Иванов, П. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование глубоких ловушек на интерфейсе SiO2/6H-SiC методом неравновесного эффекта поля / Физ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Иванов, П. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование глубоких ловушек на интерфейсе SiO2/6H-SiC методом неравновесного эффекта поля / Физ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Иванов, П. А.
Исследование глубоких ловушек на интерфейсе SiO2/6H-SiC методом неравновесного эффекта поля / Физика полупроводниковых приборов / П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, В. Н. Пантелеев, Д. Ю. Поляков // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 4 . – 482-488 .
Иванов, П. А.
Исследование глубоких ловушек на интерфейсе SiO2/6H-SiC методом неравновесного эффекта поля / Физика полупроводниковых приборов / П. А. Иванов, Т. П. Самсонова, В. Н. Пантелеев, Д. Ю. Поляков // Физика и техника полупроводников . – 2001 . – Т. 35, N 4 . – 482-488 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 4
2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 35, N 4
2001 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный