Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Левинштейн, М. Е. - Перегрев SiC фототиристора в процессе включения и распространения включенного состояния
Левинштейн, М. Е. - Перегрев SiC фототиристора в процессе включения и распространения включенного состояния
Статья
Автор: Левинштейн, М. Е.
Физика и техника полупроводников: Перегрев SiC фототиристора в процессе включения и распространения включенного состояния
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Левинштейн, М. Е.
Физика и техника полупроводников: Перегрев SiC фототиристора в процессе включения и распространения включенного состояния
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Левинштейн, М. Е.
Перегрев SiC фототиристора в процессе включения и распространения включенного состояния / М. Е. Левинштейн, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков, J. W. Palmour // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 9 . – С. 1224-1229 .
Левинштейн, М. Е.
Перегрев SiC фототиристора в процессе включения и распространения включенного состояния / М. Е. Левинштейн, Т. Т. Мнацаканов, С. Н. Юрков, J. W. Palmour // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 9 . – С. 1224-1229 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 9
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 9
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный