Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Осипов, К. Ю. - Технология формирования щелевых сквозных металлизированных отверстий к истокам мощных GaN/SiC-тра...
Осипов, К. Ю. - Технология формирования щелевых сквозных металлизированных отверстий к истокам мощных GaN/SiC-тра...
Статья
Автор: Осипов, К. Ю.
Физика и техника полупроводников: Технология формирования щелевых сквозных металлизированных отверстий к истокам мощных GaN/SiC-тра...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Осипов, К. Ю.
Физика и техника полупроводников: Технология формирования щелевых сквозных металлизированных отверстий к истокам мощных GaN/SiC-тра...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Осипов, К. Ю.
Технология формирования щелевых сквозных металлизированных отверстий к истокам мощных GaN/SiC-транзисторов с высокой подвижностью электронов / К. Ю. Осипов, Л. Э. Великовский // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 9 . – С. 1239-1243 .
Осипов, К. Ю.
Технология формирования щелевых сквозных металлизированных отверстий к истокам мощных GaN/SiC-транзисторов с высокой подвижностью электронов / К. Ю. Осипов, Л. Э. Великовский // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 9 . – С. 1239-1243 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 9
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 9
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный