Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Пагава, Т. А. - Изохронный отжиг образцов n-Si, облученных протонами с энергией 25 МэВ
Пагава, Т. А. - Изохронный отжиг образцов n-Si, облученных протонами с энергией 25 МэВ
Статья
Автор: Пагава, Т. А.
Физика и техника полупроводников: Изохронный отжиг образцов n-Si, облученных протонами с энергией 25 МэВ
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Пагава, Т. А.
Физика и техника полупроводников: Изохронный отжиг образцов n-Si, облученных протонами с энергией 25 МэВ
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Пагава, Т. А.
Изохронный отжиг образцов n-Si, облученных протонами с энергией 25 МэВ / Т. А. Пагава, М. Г. Беридзе, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 10 . – С. 1274-1278 .
Пагава, Т. А.
Изохронный отжиг образцов n-Si, облученных протонами с энергией 25 МэВ / Т. А. Пагава, М. Г. Беридзе, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 10 . – С. 1274-1278 .