Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кабанов, В. В. - Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs...
Кабанов, В. В. - Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs...
Статья
Автор: Кабанов, В. В.
Физика и техника полупроводников: Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кабанов, В. В.
Физика и техника полупроводников: Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кабанов, В. В.
Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs/AlGaAs / В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, Г. И. Рябцев, А. С. Смаль, М. А. Щемелев, Д. А. Винокуров, С. О. Слипчеко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 10 . – С. 1339-1343 .
Кабанов, В. В.
Излучательная и безызлучательная рекомбинация в активных слоях мощных лазерных диодов InGaAs/GaAs/AlGaAs / В. В. Кабанов, Е. В. Лебедок, Г. И. Рябцев, А. С. Смаль, М. А. Щемелев, Д. А. Винокуров, С. О. Слипчеко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 10 . – С. 1339-1343 .