Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Цацульников, А. Ф. - Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения
Цацульников, А. Ф. - Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения
Статья
Автор: Цацульников, А. Ф.
Физика и техника полупроводников: Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Цацульников, А. Ф.
Физика и техника полупроводников: Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Цацульников, А. Ф.
Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения / А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, Ю. Г. Мусихин, С. О. Усов, М. Н. Мизеров, Н. А. Черкашин // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 10 . – С. 1357-1362 .
Цацульников, А. Ф.
Гетероструктуры InGaN/GaN, выращенные методом субмонослойного осаждения / А. Ф. Цацульников, В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, А. В. Сахаров, Ю. Г. Мусихин, С. О. Усов, М. Н. Мизеров, Н. А. Черкашин // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 10 . – С. 1357-1362 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 10
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 10
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный