Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Мурель, А. В. - Модификация высоты барьера в диодах Шоттки на кремнии при использовании сильно легированных 3D- и...
Мурель, А. В. - Модификация высоты барьера в диодах Шоттки на кремнии при использовании сильно легированных 3D- и...
Статья
Автор: Мурель, А. В.
Физика и техника полупроводников: Модификация высоты барьера в диодах Шоттки на кремнии при использовании сильно легированных 3D- и...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Мурель, А. В.
Физика и техника полупроводников: Модификация высоты барьера в диодах Шоттки на кремнии при использовании сильно легированных 3D- и...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Мурель, А. В.
Модификация высоты барьера в диодах Шоттки на кремнии при использовании сильно легированных 3D- и 2D-слоев / А. В. Мурель, А. В. Новиков, В. И. Шашкин, Д. В. Юрасов // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 11 . – С. 1384-1387 .
Мурель, А. В.
Модификация высоты барьера в диодах Шоттки на кремнии при использовании сильно легированных 3D- и 2D-слоев / А. В. Мурель, А. В. Новиков, В. И. Шашкин, Д. В. Юрасов // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 11 . – С. 1384-1387 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 11
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 11
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный