Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ежевский, А. А. - Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом...
Ежевский, А. А. - Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом...
Статья
Автор: Ежевский, А. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ежевский, А. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Ежевский, А. А.
Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом 28Si, и влияния на нее внутренних деформаций кристалла / А. А. Ежевский, С. А. Попков, А. В. Сухоруков, Д. В. Гусейнов, N. V. Abrosimov, H. Riemann // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 11 . – С. 1468-1474 .
Ежевский, А. А.
Исследование структуры основного состояния донорного центра лития в кремнии, обогащенном изотопом 28Si, и влияния на нее внутренних деформаций кристалла / А. А. Ежевский, С. А. Попков, А. В. Сухоруков, Д. В. Гусейнов, N. V. Abrosimov, H. Riemann // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 11 . – С. 1468-1474 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 11
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 11
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный