Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Марков, А. В. - Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского с добавлением кислорода
Марков, А. В. - Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского с добавлением кислорода
Статья
Автор: Марков, А. В.
Физика и техника полупроводников: Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского с добавлением кислорода
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Марков, А. В.
Физика и техника полупроводников: Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского с добавлением кислорода
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Марков, А. В.
Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского с добавлением кислорода / А. В. Марков, Э. М. Омельяновский, В. Б. Освенский, А. Я. Поляков, М. В. Тишкин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 3 . – с. 507-511 .
Марков, А. В.
Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского с добавлением кислорода / А. В. Марков, Э. М. Омельяновский, В. Б. Освенский, А. Я. Поляков, М. В. Тишкин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 3 . – с. 507-511 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 3
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 24, N 3
Наука, 1990 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный