Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Тихов, С. В. - Определение концентрации и подвижности электронов в окресности квантовой ямы и b-слоя Si в гетеро...
Тихов, С. В. - Определение концентрации и подвижности электронов в окресности квантовой ямы и b-слоя Si в гетеро...
Статья
Автор: Тихов, С. В.
Физика и техника полупроводников: Определение концентрации и подвижности электронов в окресности квантовой ямы и b-слоя Si в гетеро...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Тихов, С. В.
Физика и техника полупроводников: Определение концентрации и подвижности электронов в окресности квантовой ямы и b-слоя Si в гетеро...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Тихов, С. В.
Определение концентрации и подвижности электронов в окресности квантовой ямы и b-слоя Si в гетероструктурах InGaAs/GaAs / С. В. Тихов, Н. В. Байдусь, А. А. Бирюков, С. В. Хазанова // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 12 . – С. 1532-1536 .
Тихов, С. В.
Определение концентрации и подвижности электронов в окресности квантовой ямы и b-слоя Si в гетероструктурах InGaAs/GaAs / С. В. Тихов, Н. В. Байдусь, А. А. Бирюков, С. В. Хазанова // Физика и техника полупроводников . – 2012 . – Т. 46, N 12 . – С. 1532-1536 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 12
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 46, N 12
2012 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный