Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бочкарева, Н. И. - Туннельная инжекция и энергетическая эффективность светодиодов на основе InGaN/GaN
Бочкарева, Н. И. - Туннельная инжекция и энергетическая эффективность светодиодов на основе InGaN/GaN
Статья
Автор: Бочкарева, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Туннельная инжекция и энергетическая эффективность светодиодов на основе InGaN/GaN
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бочкарева, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Туннельная инжекция и энергетическая эффективность светодиодов на основе InGaN/GaN
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бочкарева, Н. И.
Туннельная инжекция и энергетическая эффективность светодиодов на основе InGaN/GaN / Н. И. Бочкарева, В. В. Вороненков, Р. И. Горбунов // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 1 . – С. 129-136 .
Бочкарева, Н. И.
Туннельная инжекция и энергетическая эффективность светодиодов на основе InGaN/GaN / Н. И. Бочкарева, В. В. Вороненков, Р. И. Горбунов // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 1 . – С. 129-136 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 1
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 1
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный