Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 3 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 3 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Саченко, А. В.
К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах
б.г.
ISBN отсутствует
Саченко, А. В.
К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Palimar, S.
Influence of the doping with third group oxides on the properties of zinc oxide thin films
б.г.
ISBN отсутствует
Palimar, S.
Influence of the doping with third group oxides on the properties of zinc oxide thin films
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Lanz, B.
Picosecond internal Q-switching mode correlates with laser diode breakdown voltage
б.г.
ISBN отсутствует
Lanz, B.
Picosecond internal Q-switching mode correlates with laser diode breakdown voltage
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Карпова, С. С.
Функциональный состав поверхности и сенсорные свойства ZnO, Fe2O3 и ZnFe2O4
б.г.
ISBN отсутствует
Карпова, С. С.
Функциональный состав поверхности и сенсорные свойства ZnO, Fe2O3 и ZnFe2O4
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Рахматов, А. З.
Особенности работы ограничителя напряжения в импульсном режиме
б.г.
ISBN отсутствует
Рахматов, А. З.
Особенности работы ограничителя напряжения в импульсном режиме
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Шиленас, А.
Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGa...
б.г.
ISBN отсутствует
Шиленас, А.
Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGa...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Алпатов, А. В.
Выявление корреляций поверхностного интерфейса пленок методом двумерного флуктуационного анализа
б.г.
ISBN отсутствует
Алпатов, А. В.
Выявление корреляций поверхностного интерфейса пленок методом двумерного флуктуационного анализа
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Качурин, Г. А.
Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO2
б.г.
ISBN отсутствует
Качурин, Г. А.
Действие быстрых тяжелых ионов на многослойные гетероструктуры Si/SiO2
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Катеринчук, В. Н.
Размерный оптический эффект в наноструктурированных пленках
б.г.
ISBN отсутствует
Катеринчук, В. Н.
Размерный оптический эффект в наноструктурированных пленках
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Gogoi, P.
Thermally deposited Ag-doped CdS transistors with rare-earth oxide Nd2O3 as gate dielectric
б.г.
ISBN отсутствует
Gogoi, P.
Thermally deposited Ag-doped CdS transistors with rare-earth oxide Nd2O3 as gate dielectric
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Артамкин, А. И.
Фотопроводимость теллурида свинца, легированного ванадием, в терагерцовом спектральном диапазоне
б.г.
ISBN отсутствует
Артамкин, А. И.
Фотопроводимость теллурида свинца, легированного ванадием, в терагерцовом спектральном диапазоне
б.г.
ISBN отсутствует