Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лошаченко, А. С. - Электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами кислорода
Лошаченко, А. С. - Электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами кислорода
Статья
Автор: Лошаченко, А. С.
Физика и техника полупроводников: Электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами кислорода
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лошаченко, А. С.
Физика и техника полупроводников: Электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами кислорода
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Лошаченко, А. С.
Электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами кислорода / А. С. Лошаченко, О. Ф. Вывенко, Е. И. Шек, Н. А. Соболев // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 2 . – С. 251-254 .
Лошаченко, А. С.
Электрически активные центры в кремнии, имплантированном ионами кислорода / А. С. Лошаченко, О. Ф. Вывенко, Е. И. Шек, Н. А. Соболев // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 2 . – С. 251-254 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 2
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 2
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный