Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Шалеев, М. В. - Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(0...
Шалеев, М. В. - Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(0...
Статья
Автор: Шалеев, М. В.
Физика и техника полупроводников: Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(0...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Шалеев, М. В.
Физика и техника полупроводников: Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(0...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Шалеев, М. В.
Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(001) буферные слои / М. В. Шалеев, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 3 . – С. 404-409 .
Шалеев, М. В.
Переход от двумерного к трехмерному росту пленки Ge при ее осаждении на релаксированные SiGe/Si(001) буферные слои / М. В. Шалеев, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 3 . – С. 404-409 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 3
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 3
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный