Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Шенгуров, Д. В. - Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кисло...
Шенгуров, Д. В. - Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кисло...
Статья
Автор: Шенгуров, Д. В.
Физика и техника полупроводников: Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кисло...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Шенгуров, Д. В.
Физика и техника полупроводников: Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кисло...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Шенгуров, Д. В.
Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода / Д. В. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 3 . – С. 410-413 .
Шенгуров, Д. В.
Низкотемпературное выращивание эпитаксиальных слоев кремния, солегированных атомами эрбия и кислорода / Д. В. Шенгуров, В. Ю. Чалков, С. А. Денисов // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 3 . – С. 410-413 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 3
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 3
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный