Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников

Доступно
1 из 1
1 из 1
	 Периодическое издание
 
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
  
Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 6 .
01:Книгохранение - 1 экз.
 
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Ф-50
Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 6 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
 
Связанные описания:
 
 
				 
				
          Статья
Павлов, Д. А.
Анализ закономерностей роста при гетероэпитаксии кремния на сапфире
б.г.
ISBN отсутствует
	
	
        
        
	Павлов, Д. А.
Анализ закономерностей роста при гетероэпитаксии кремния на сапфире
б.г.
ISBN отсутствует
 
				 
				
          Статья
Шевченко, С. А.
Исследование методом DLTS пластически деформированного германия n-типа после легирования медью
б.г.
ISBN отсутствует
	
	
        
        
	Шевченко, С. А.
Исследование методом DLTS пластически деформированного германия n-типа после легирования медью
б.г.
ISBN отсутствует
 
				 
				
          Статья
Huang, C.-H.
MOS solar cells with oxides deposited by sol-gel spin-coating techniques
б.г.
ISBN отсутствует
	
	
        
        
	Huang, C.-H.
MOS solar cells with oxides deposited by sol-gel spin-coating techniques
б.г.
ISBN отсутствует
 
				 
				
          Статья
Мирсагатов, Ш. А.
Инжекционный фотодиод на основе гетероструктуры n-CdS/p-CdTe
б.г.
ISBN отсутствует
	
	
        
        
	Мирсагатов, Ш. А.
Инжекционный фотодиод на основе гетероструктуры n-CdS/p-CdTe
б.г.
ISBN отсутствует
 
				
          Статья
Hongbo, Yu
Effects of high-temperature AlN buffer on the microstructure of AlGaN/GaN HEMTs
б.г.
ISBN отсутствует
	
	
        
        
	Hongbo, Yu
Effects of high-temperature AlN buffer on the microstructure of AlGaN/GaN HEMTs
б.г.
ISBN отсутствует
 
				
          Статья
Алисултанов, З. З.
К теории электронных состояний системы "квантовая точка - графен - подложка
б.г.
ISBN отсутствует
	
	
        
        
	Алисултанов, З. З.
К теории электронных состояний системы "квантовая точка - графен - подложка
б.г.
ISBN отсутствует
 
				 
				
          Статья
Буравлев, А. Д.
Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs:Be
б.г.
ISBN отсутствует
	
	
        
        
	Буравлев, А. Д.
Исследование фотоэлектрических свойств массивов нитевидных нанокристаллов GaAs:Be
б.г.
ISBN отсутствует
 
				 
				 
				 
				 
				 
				
          Статья
Цуканов, Д. А.
Влияние стехиометрического состава поверхностной фазы на электрическую проводимость подложки
б.г.
ISBN отсутствует
	
	
        
        
	Цуканов, Д. А.
Влияние стехиометрического состава поверхностной фазы на электрическую проводимость подложки
б.г.
ISBN отсутствует
 
				
          Статья
Пашаев, И. Г.
Электрические свойства кремниевых диодов Шоттки, содержащих металлические пленки различного состава
б.г.
ISBN отсутствует
	
	
        
        
	Пашаев, И. Г.
Электрические свойства кремниевых диодов Шоттки, содержащих металлические пленки различного состава
б.г.
ISBN отсутствует
 
				
          Статья
Курова, И. А.
О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках а-Si:Н
б.г.
ISBN отсутствует
	
	
        
        
	Курова, И. А.
О фотоиндуцированных эффектах в нелегированных пленках а-Si:Н
б.г.
ISBN отсутствует
 
				
          Статья
Пашкеев, Д. А.
Роль междолинного рассеяния в излучательной рекомбинации твердого раствора
б.г.
ISBN отсутствует
	
	
        
        
	Пашкеев, Д. А.
Роль междолинного рассеяния в излучательной рекомбинации твердого раствора
б.г.
ISBN отсутствует
 
				
          Статья
Соболев, В. В.
Фундаментальные спектры оптических функций бромида индия в области 2-30 эВ при 4.2 К
б.г.
ISBN отсутствует
	
	
        
        
	Соболев, В. В.
Фундаментальные спектры оптических функций бромида индия в области 2-30 эВ при 4.2 К
б.г.
ISBN отсутствует
 
				 
				
          Статья
Шеин, И. Р.
Влияние примесей фтора, азота и углерода на электронные и магнитные свойства WO3
б.г.
ISBN отсутствует
	
	
        
        
	Шеин, И. Р.
Влияние примесей фтора, азота и углерода на электронные и магнитные свойства WO3
б.г.
ISBN отсутствует
 
				 
				
          Статья
Скипетров, Е. П.
Резонансный уровень хрома в ромбоэдрической и кубической фазах сплавов
б.г.
ISBN отсутствует
	
	
        
        
	Скипетров, Е. П.
Резонансный уровень хрома в ромбоэдрической и кубической фазах сплавов
б.г.
ISBN отсутствует

 Заказать
    Заказать   На полку
    На полку  