Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Именков, А. Н. - Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP
Именков, А. Н. - Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP
Статья
Автор: Именков, А. Н.
Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Именков, А. Н.
Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Именков, А. Н.
Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP / А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, Д. А. Старостенко, В. В. Шерстнев, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 5 . – С. 690-695 .
Именков, А. Н.
Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP / А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, Д. А. Старостенко, В. В. Шерстнев, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 5 . – С. 690-695 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 5
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 5
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный