Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Андреев, И. А. - Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2 - 2.4 мкм на основе гете...
Андреев, И. А. - Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2 - 2.4 мкм на основе гете...
Статья
Автор: Андреев, И. А.
Физика и техника полупроводников: Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2 - 2.4 мкм на основе гете...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Андреев, И. А.
Физика и техника полупроводников: Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2 - 2.4 мкм на основе гете...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Андреев, И. А.
Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2 - 2.4 мкм на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb с полосой пропускания 2-5 ГГц / И. А. Андреев, О. Ю. Серебренникова, Г. С. Соколовский // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 8 . – С. 1109-1115 .
Андреев, И. А.
Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2 - 2.4 мкм на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb с полосой пропускания 2-5 ГГц / И. А. Андреев, О. Ю. Серебренникова, Г. С. Соколовский // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – Т. 47, N 8 . – С. 1109-1115 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 8
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 47, N 8
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный