Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Антонов, А. В. - Особенности примесной фотопроводимости в эпитаксиальных диодах Si:Er/Si
Антонов, А. В. - Особенности примесной фотопроводимости в эпитаксиальных диодах Si:Er/Si
Статья
Автор: Антонов, А. В.
Физика и техника полупроводников: Особенности примесной фотопроводимости в эпитаксиальных диодах Si:Er/Si
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Антонов, А. В.
Физика и техника полупроводников: Особенности примесной фотопроводимости в эпитаксиальных диодах Si:Er/Si
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Антонов, А. В.
Особенности примесной фотопроводимости в эпитаксиальных диодах Si:Er/Si / А. В. Антонов, К. Е. Кудрявцев, Д. В. Шенгуров // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – т. 47, N 11 . – С. 1513-1516 .
Антонов, А. В.
Особенности примесной фотопроводимости в эпитаксиальных диодах Si:Er/Si / А. В. Антонов, К. Е. Кудрявцев, Д. В. Шенгуров // Физика и техника полупроводников . – 2013 . – т. 47, N 11 . – С. 1513-1516 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников т. 47, N 11
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников т. 47, N 11
2013 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный