Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Гочуа, К. В. - Влияние дефектности структуры на электрофизические свойства термоэлектрических материалов на осно...
Гочуа, К. В. - Влияние дефектности структуры на электрофизические свойства термоэлектрических материалов на осно...
Доступно
1 из 1
1 из 1
Автореферат
Автор: Гочуа, К. В.
Влияние дефектности структуры на электрофизические свойства термоэлектрических материалов на осно... : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники"
Издательство: [МИСиС], 2013 г.
ISBN отсутствует
Автор: Гочуа, К. В.
Влияние дефектности структуры на электрофизические свойства термоэлектрических материалов на осно... : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники"
Издательство: [МИСиС], 2013 г.
ISBN отсутствует
Автореферат
Г-749а
Гочуа, К. В.
Влияние дефектности структуры на электрофизические свойства термоэлектрических материалов на основе халькогенидов Bi и Sb, полученных методом вертикальной направленной кристаллизации и экструзии : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" / К. В. Гочуа ; науч. рук. В. Т. Бублик . – М. : [МИСиС], 2013 . – 26с. : рис. + Библиогр.: с. 25-26 . – URL: http://lib.msk.misis.ru/elib/view.php?id_abs=543799 .
621.318(043.3)
523826 19:Фонд дис.МИСиС
Г-749а
Гочуа, К. В.
Влияние дефектности структуры на электрофизические свойства термоэлектрических материалов на основе халькогенидов Bi и Sb, полученных методом вертикальной направленной кристаллизации и экструзии : автореф. дис... к.т.н., спец. 05.27.06 - "Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники" / К. В. Гочуа ; науч. рук. В. Т. Бублик . – М. : [МИСиС], 2013 . – 26с. : рис. + Библиогр.: с. 25-26 . – URL: http://lib.msk.misis.ru/elib/view.php?id_abs=543799 .
621.318(043.3)
523826 19:Фонд дис.МИСиС