Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Иванов, С. В.
Инжекционный ИК лазер (лямбда=2.775 мкм) на основе двойной гибридной гетероструктуры AlGaAsSb/CdMgSe, выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии / Физика полупроводниковых приборов / С. В. Иванов, К. Д. Моисеев, В. А. Кайгородов, В. А. Соловьев, С. В. Сорокин, Б. Я. Мельцер, Е. А. Гребенщикова, И. В. Седова, Я. В. Терентьев, А. Н. Семенов, А. П. Астахова, М. П. Михайлова, А. А. Торопов, Ю. П. Яковлев, П. С. Копьев, Ж. И. Алферов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – Т. 37, N 6 . – с. 762-766 .