Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Казакевич, Л. А.
Влияние деформационных напряжений границы раздела Si-SiO2 на образование и отжиг радиационных дефектов в кремнии / Л. А. Казакевич, В. И. Кузнецов, П. Ф. Лугаков, И. М. Филиппов, А. В. Цикунов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1990 . – Т. 24, N 3 . – с. 517-520 .